ダイオード特性

（C)数理設計研究所　玉置晴朗　2002/1/31

ダイオード特性を実測してSPICEモデルを作成してみた。　室温２５℃。実行ソフトは未公開。

1S1588 (Toshiba) 実測値

順方向
V	mA
0.4103	0.0156
0.4823	0.0678
0.551	0.2213
0.6345	1.021
0.6854	3.59
0.7758	9.92
0.8959	23.40
1.0392	47.2

逆方向
V	uA
4.959	0.3
10.023	0.9
15.131	1.4
19.96	1.8

* Toshiba Si EP Switching
.model d1s1588 D( IS=3.4414e-11 N=1.33824 RS=12.3457 BV=145.077 IBV=23.471 NBV=302.287 CJO=2pF TT=2n)

データシート　1S1588_1.gif　 1S1588_2.gif　 1S1588_3.gif

1S1588×4の温度計シミュレーションによる評価

4Diode temprature Test
.OPT ACCT NOMOD NOPAGE RELTOL=.001

* Toshiba Si EP Switching
.model d1s1588 D( IS=3.4414e-11 N=1.33824 RS=12.3457 BV=145.077 IBV=23.471 NBV=302.287 CJO=2pF TT=2n)
.dc vin 0 5.5v 0.1v
.TEMP -25 0 25 50

vin pp 0 dc 0v
rin pp p1 220k
d1 p1 p2 d1s1588
d2 p2 p3 d1s1588
d3 p3 p4 d1s1588
d4 p4 0 d1s1588

.probe
.end

@5V 220kohm
-25deg 2.2827V
0deg 2.0487V
25deg 1.8134V
50deg 1.5769V
およそ9.4mV/℃

220kohm 電源変動
40mV/V(電源）　4.3℃/V（電源）

1S10 (PAN JIT)　実測値

順方向
V	mA
0.1160	0.0443
0.1385	0.0878
0.1758	0.2828
0.1890	0.4052
0.1998	0.4684
0.2117	0.7183
0.2242	1.1113
0.2453	4.84
0.2874	12.73
0.3330	25.27
0.4728	52.4
0.6253	127.9

逆方向
V	uA
5.011	1.2
10.034	1.9
15.042	2.5
19.94	3.3

* PAN JIT Shottky Barrier Rectifires 20-100V 1A
.model d1s10 D( IS=1.11e-7 N=0.879 RS=2.44495 BV=160.817 IBV=0.0473298 NBV=575.452 CJO=110pF)

データシート　1S2.pdf

..end